МикросхемаМикросхема.

Тайваньские учёные избавили флэш-память от старения

Разработанная тайваньскими инженерами технология способна внести революционные изменения в работу флэш-памяти, избавив её от эффекта старения. Это может сделать возможным значительно более широкое использование подобных накопителей в вычислительных устройствах.

В лабораториях, находящихся в городе Синьчжу (Тайвань), компанией Macronix создана технология, позволяющая увеличить число возможных перезаписей флэш-памяти в десять тысяч раз. Пока неизвестно, когда именно данную разработку можно будет увидеть на рынке, однако уже в самое ближайшее время она будет представлена на выставке IEEE International Electron Devices Meeting проводимой в Сан-Франциско.

Возможности современных накопителей информации, созданных на основе флэш-памяти, существенно ограничены так называемым «эффектом старения». По мере многократной записи и стирания данных происходит износ ячеек памяти, в результате чего они постепенно теряют возможность чёткого фиксирования своего логического состояния. А это, в свою очередь, приводит к быстрому падению степени надёжности хранения и записи информации.

Количество циклов записи-стирания современных устройств флэш-памяти до наступления критического предела, как правило, не превышает десяти тысяч. Это не слишком страшно, если память используется в устройствах, работающих с ограниченной интенсивностью, либо обладающих не слишком большим сроком службы, например в знакомых всем «флешках» — USB-накопителях. Однако данное свойство флэш-памяти (наряду с высокой её стоимостью) ощутимо сдерживает применение твердотельных накопителей (SSD) в ноутбуках и подобных им устройствах, которые рассчитаны на достаточно длительную и интенсивную работу блоков памяти.

Принцип, положенный в основу разработанной тайваньскими инженерами технологии, заключается в восстановлении ячеек памяти путём их нагревания. К подобному решению исследователей подтолкнуло изучение механизмов работы фазовой памяти, где проводимость ячейки изменялась под действием нагрева. Обнаружив, что подобным образом можно также восстанавливать изношенные участки, учёные создали механизм, позволяющий кратковременно разогревать ячейки памяти до температуры в 800 градусов Цельсия. В результате им удалось довести ресурс работы флэш-памяти до ста миллионов циклов перезаписи. И, как утверждает представитель компании Macronix Хан Тин Люэ, не исключено, что это ещё не предел. Ожидается, что есть возможность увеличить этот параметр ещё больше и довести его до миллиарда циклов перезаписи, однако исследования пока ещё продолжаются. Предполагается, что точные пределы возможностей данной технологии могут быть определены лишь по итогам нескольких месяцев предстоящего тестирования.

Также, по словам Хан Тин Люэ, необходимость периодического разогрева памяти до весьма значительных температур, тем не менее, не приведёт к существенному росту энергопотребления системы, поскольку восстановление ячеек можно делать не слишком часто. Это достаточно важный момент, поскольку основная сфера применения твердотельных накопителей это компактные и портативные устройства, питаемые, как правило, от батарей, а не от стационарной сети. Соответственно, рост потребления энергии неминуемо выльется в сокращение ресурса их батарей.

Попутно в процессе изучения было обнаружено ещё одно свойство ячеек памяти. Как выяснилось, повышение температуры флэш-памяти приводит ещё и к более быстрому стиранию с неё информации, что вполне способно повлиять на производительность. В перспективе этот эффект может быть использован для повышения быстродействия памяти посредством выбора оптимального режима её нагрева.

Компания Macronix рассчитывает вывести разработанную её инженерами технологию на рынок схем памяти, но пока не готова объявить какие-либо конкретные сроки.

Новости партнеров


Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

*

Можно использовать следующие HTML-теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Читайте также